BSS209PW L6327
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSS209PW L6327 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT323 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 580mA, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 300mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 89.9 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.38 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 580mA (Ta) |
BSS209PW L6327 Einzelheiten PDF [English] | BSS209PW L6327 PDF - EN.pdf |
BSS214NE6327 Son
VBSEMI SOT-23
BSS209PWH6327 Son
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
BSS209PW H6327 INFINEO
BSS205N H6327 Infineon Technologies
INFINEON SOT-23
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
BSS205N I
BSS205NH6327 Son
BSS214N L6327 Infineon
MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
INFINEON SOT-23
BSS214N VISHAY
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
INFINEON SOT-323
BSS209PWL6327 INFINEON
BSS205N L6327 Infineo
BSS214N H6327 Infineon Technologies
2024/03/19
2024/07/9
2024/08/29
2024/05/14
BSS209PW L6327Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|